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IDT71V3577S85PFG8 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IDT71V3577S85PFG8詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲(chǔ)器

描述：IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲(chǔ)器：RAM

存儲(chǔ)器類型：SRAM - 同步

存儲(chǔ)容量：4.5M（128K x 36）

速度：85ns

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：100-LQFP

供應(yīng)商器件封裝：100-TQFP（14x14）

包裝：帶卷 (TR)

• G7L-2A-P-IN-CB DC24

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 24V

• G3JA-C409B AC100-240

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A

• GSOT12-GS08

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Opto Division    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    DIODE ESD 1LINE 12V SOT23

• GRM43ER72A225KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1812（4532 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812

• G7L-2A-PUB-CB DC12

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 12V

• G3JA-C409B AC100-240

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A

• IDT71V3577S85PF

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    100-LQFP    IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP

• GRM43ER72A225KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1812（4532 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812

• GSOT12-HT3-GS08

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Opto Division    3-WDFN    DIODE ESD 1LINE 12V LLP75-3B

• G3JA-C416B AC/DC24

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A

• GSOT12-HT3-GS08

  TVS - 二極管    Vishay Semiconductor Opto Division    3-WDFN    DIODE ESD 1LINE 12V LLP75-3B

• GRM43ER72A225KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1812（4532 公制）    CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812

• G3JA-C416B AC/DC24

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A

• G7L-2A-TUB-80-CB DC48

  功率，高于 2 安    Omron Electronics Inc-IA Div        RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V

• IDT71V3577SA75BG8

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA