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IDT71V65603 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IDT71V65603S100BG詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲(chǔ)器

描述：IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲(chǔ)器：RAM

存儲(chǔ)器類型：SRAM - 同步 ZBT

存儲(chǔ)容量：9M（256K x 36）

速度：100MHz

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：119-BGA

供應(yīng)商器件封裝：119-PBGA（14x22）

包裝：托盤

IDT71V65603S100BG8詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲(chǔ)器

描述：IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲(chǔ)器：RAM

存儲(chǔ)器類型：SRAM - 同步 ZBT

存儲(chǔ)容量：9M（256K x 36）

速度：100MHz

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：119-BGA

供應(yīng)商器件封裝：119-PBGA（14x22）

包裝：帶卷 (TR)

IDT71V65603S100BGI詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲(chǔ)器

描述：IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲(chǔ)器：RAM

存儲(chǔ)器類型：SRAM - 同步 ZBT

存儲(chǔ)容量：9M（256K x 36）

速度：100MHz

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：119-BGA

供應(yīng)商器件封裝：119-PBGA（14x22）

包裝：托盤

IDT71V65603S100BGI8詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲(chǔ)器

描述：IC SRAM 9MBIT 100MHZ 119BGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲(chǔ)器：RAM

存儲(chǔ)器類型：SRAM - 同步 ZBT

存儲(chǔ)容量：9M（256K x 36）

速度：100MHz

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：-40°C ~ 85°C

封裝/外殼：119-BGA

供應(yīng)商器件封裝：119-PBGA（14x22）

包裝：帶卷 (TR)

IDT71V65603S100BQ詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲(chǔ)器

描述：IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲(chǔ)器：RAM

存儲(chǔ)器類型：SRAM - 同步 ZBT

存儲(chǔ)容量：9M（256K x 36）

速度：100MHz

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：165-TBGA

供應(yīng)商器件封裝：165-CABGA（13x15）

包裝：托盤

IDT71V65603S100BQG詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲(chǔ)器

描述：IC SRAM 9MBIT 100MHZ 165FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲(chǔ)器：RAM

存儲(chǔ)器類型：SRAM - 同步 ZBT

存儲(chǔ)容量：9M（256K x 36）

速度：100MHz

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：165-TBGA

供應(yīng)商器件封裝：165-CABGA（13x15）

包裝：托盤

• ESR18EZPJ153

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 15K OHM 1/3W 5% 1206 SMD

• CRCW2010191KFKEFHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 191K OHM 1W 1% 2010 SMD

• IDT71V65602S150PFGI

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    100-LQFP    IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP

• ESBM08200

  接線板 - 線至板    Amphenol PCD        CONN TERM BLK 8 POS 3.81MM R/A

• ESR18EZPJ163

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 16K OHM 1/3W 5% 1206 SMD

• CRCW2010196KFKEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 196K OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• H3BXT-10105-A6-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A3049A/X 5"

• ICS844001AGILFT

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器    IDT, Integrated Device Technology Inc    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC CLK GEN FIBRE CHAN 8-TSSOP

• CRCW2010196RFKEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 196 OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• ESBM16200

  接線板 - 線至板    Amphenol PCD        CONN TERM BLK 16POS 3.81MM R/A

• CRCW2010196RFKEFHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 196 OHM 1W 1% 2010 SMD

• ESR18EZPJ201

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 200 OHM 1/3W 5% 1206 SMD

• H3BXT-10105-R4-ND

  跳線，預(yù)壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1504TR/A2015R/X 5"

• ICS844001AGLF

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器    IDT, Integrated Device Technology Inc    8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC CLK GEN FIBRE LVDS 8-TSSOP

• CRCW201019R6FKEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 19.6 OHM 3/4W 1% 2010 SMD