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IDT71V65803S133BGG8 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：

IDT71V65803S133BGG8詳細(xì)規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 同步 ZBT

存儲容量：9M（512K x 18）

速度：133MHz

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：119-BGA

供應(yīng)商器件封裝：119-PBGA（14x22）

包裝：帶卷 (TR)

• ERJ-14NF2261U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    1210（3225 公制）    RES 2.26K OHM 1/2W 1% 1210 SMD

• GRM1555C1H8R8CZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 8.8PF 50V NP0 0402

• GRM1555C1H510JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 51PF 50V 5% NP0 0402

• H3DDS-3036G

  矩形    Assmann WSW Components        IDC CABLE - HKR30S/AE30G/HKR30S

• IDT71V65803S100PFI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    100-LQFP    IC SRAM 9MBIT 100MHZ 100TQFP

• GRM1555C1H8R9CZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 8.9PF 50V NP0 0402

• GRM1555C1H511GA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 510PF 50V 2% NP0 0402

• ERJ-14NF22R0U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    1210（3225 公制）    RES 22 OHM 1/2W 1% 1210 SMD

• GRM1555C1H8R9DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 8.9PF 50V NP0 0402

• H3DDS-4018G

  矩形    Assmann WSW Components        IDC CABLE - HKR40S/AE40G/HKR40S

• GRM1555C1H910GA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 91PF 50V 2% NP0 0402

• ERJ-14NF2323U

  芯片電阻 - 表面安裝    Panasonic Electronic Components    1210（3225 公制）    RES 232K OHM 1/2W 1% 1210 SMD

• GRM1555C1H5R0BZ01J

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 5PF 50V NP0 0402

• GRM1555C1H910JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 91PF 50V 5% NP0 0402

• IDT71V65803S150BG8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA