IDT71V67602S133BQ8 全國供應商、價格、PDF資料

IDT71V67602S133BQ8詳細規(guī)格

類別：存儲器

描述：IC SRAM 9MBIT 133MHZ 165FBGA

系列：-

制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc

格式_存儲器：RAM

存儲器類型：SRAM - 同步

存儲容量：9M（256K x 36）

速度：133MHz

接口：并聯(lián)

電壓_電源：3.135 V ~ 3.465 V

工作溫度：0°C ~ 70°C

封裝/外殼：165-TBGA

供應商器件封裝：165-CABGA（13x15）

包裝：帶卷 (TR)

• CRCW20101R60JNTF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.6 OHM 3/4W 5% 2010 SMD

• ESRD101M0EXR

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    2917（7343 公制）    CAP ALUM 100UF 2.5V 20% SMD

• CRCW20101R78FKEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.78 OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• ESC08DRTF

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD

• IDT71V67602S133BGG8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    119-BGA    IC SRAM 9MBIT 133MHZ 119BGA

• ESRD121M06XR

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    2917（7343 公制）    CAP ALUM 120UF 6.3V 20% SMD

• ICS853111AY-02LF

  時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅(qū)動器    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LQFP    IC CLOCK BUFFER MUX 2:10 32-LQFP

• CRCW20101R80FKEFHP

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.80 OHM 1W 1% 2010 SMD

• ESRD220M06B

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    2917（7343 公制）    CAP ALUM 22UF 6.3V 20% SMD

• ESC08DRXN-S734

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD

• CRCW20101R82FNEF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.82 OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• ESRD221M02B

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    2917（7343 公制）    CAP ALUM 220UF 2V 20% SMD

• ICS85314BGI-01LF

  時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅(qū)動器    IDT, Integrated Device Technology Inc    20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC CLOCK BUFFER MUX 2:5 20-TSSOP

• CRCW20101R82FNTF

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2010（5025 公制）    RES 1.82 OHM 3/4W 1% 2010 SMD

• ESRH101M08R

  電容器    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    2917（7343 公制）    CAP ALUM 100UF 8V 20% SMD