IHSM5832EB221L 全國供應商、價格、PDF資料

IHSM5832EB221L詳細規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR POWER 220UH 0.69A SMD

系列：IHSM-5832

制造商：Vishay Dale

類型：鐵氧體芯體

電感：220µH

電流：

額定電流：690mA

電流_飽和值：480mA

容差：±15%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 1.1 歐姆

不同頻率時的Q值：-

頻率_自諧振：-

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：非標準

大小/尺寸：0.640" L x 0.320" W x 0.285" H（16.26mm x 8.13mm x 7.24mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：散裝

• IDT70V37L20PFI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    100-LQFP    IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP

• DSP100-15

  AC DC 轉換器    TDK-Lambda Americas Inc    徑向    PWR SUP DIN RAIL 15V 75.0W 5.0A

• IHSM4825RE8R2L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 8.2UH 3.3A SMD

• IMC1812EB391J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 390UH 5% 1812

• DS1135Z-6

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 6NS 8-SOIC

• LGY2A222MELC30

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 2200UF 100V 20% SNAP

• DTS120166UDC-P14P

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 12VDC 1660MA P14 POS C

• GRM31MR71A225KA01K

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 1206

• IDT70V5378S133BC8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 576KBIT 133MHZ 256BGA

• IMC1812EB3R3J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 3.3UH 5% 1812

• DTS120166UDC-P5N

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 12VDC 1660MA P5 NEG C

• DS1135Z-8

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 8NS 8-SOIC

• LGY2C102MELA

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 1000UF 160V 20% SNAP

• IDT70V5378S133BG8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    272-BBGA    IC SRAM 576KBIT 133MHZ 272BGA

• GRM31MR71A225KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 10V 10% X7R 1206