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IHSM5832PJ330L 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IHSM5832PJ330L詳細(xì)規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR POWER 33UH 1.9A SMD

系列：IHSM-5832

制造商：Vishay Dale

類型：鐵氧體芯體

電感：33µH

電流：

額定電流：1.9A

電流_飽和值：1.1A

容差：±15%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 170 毫歐

不同頻率時(shí)的Q值：-

頻率_自諧振：-

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：非標(biāo)準(zhǔn)

大小/尺寸：0.640" L x 0.320" W x 0.285" H（16.26mm x 8.13mm x 7.24mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：散裝

• IDT70V631S12BCI8

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA

• IHSM5832ER472L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 4700UH .14A SMD

• DSP1N5D7

  DC DC Converters    Power-One    5-SIP 模塊    CONV DC-DC 1W +7/-7V OUT

• GS-3-100-10R0-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 10.0 OHM 3W 1% AXL

• IMC1812EBR82J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 820NH 5% 1812

• DS1213D

  存儲(chǔ)器 - 控制器    Maxim Integrated    32-DIP（0.600"，15.24mm）插口    IC SMARTSOCKET 256K/1M 32-DIP

• LGY2F391MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 390UF 315V 20% SNAP

• IDT70V631S12BF

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA

• GRM31MR71E225KA93K

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 25V 10% X7R 1206

• GS-3-100-1500-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 150 OHM 3W 1% AXL

• IMC1812EBR82K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 820NH 10% 1812

• DS1218S

  存儲(chǔ)器 - 控制器    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC CONTROLLER NV 8-SOIC

• LGY2F471MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 470UF 315V 20% SNAP

• GRM31MR71E225KA93L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 25V 10% X7R 1206

• IDT70V631S15BF

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA