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IMC1210SYR18M 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IMC1210SYR18M詳細(xì)規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR WW 180NH 20% 1210

系列：IMC-1210

制造商：Vishay Dale

類型：鐵粉芯

電感：180nH

電流：

額定電流：518mA

電流_飽和值：-

容差：±20%

材料_磁芯：鐵粉

屏蔽：無(wú)屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 280 毫歐

不同頻率時(shí)的Q值：30 @ 25.2MHz

頻率_自諧振：400MHz

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：1210（3225 公制）

大小/尺寸：0.126" L x 0.098" W x 0.087" H（3.20mm x 2.49mm x 2.21mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

• LGW2D681MELA35

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 680UF 200V 20% SNAP

• DS1100Z-40/T&R

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC

• DTS060330UDC-P12/RP

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 3300MA P12 RA POS

• IMC1210SYR18K

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 180NH 10% 1210

• DSF050J473

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.047UF 50VDC RADIAL

• IHSM4825ER101L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 100UH .73A SMD

• IDT70V3319S166PRF8

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    128-LQFP    IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP

• LGW2E271MELZ25

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 270UF 250V 20% SNAP

• DS1100Z-40+

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC

• IHSM4825ER151L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 150UH .58A SMD

• LGW2E331MELA25

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 330UF 250V 20% SNAP

• DS1100Z-40+T

  時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 5TAP 40NS 8-SOIC

• IDT70V3379S4BCG

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 576KBIT 4NS 256BGA

• DSF050J824

  薄膜    Cornell Dubilier Electronics (CDE)    徑向    CAP FILM 0.82UF 50VDC RADIAL

• DTS060330UDC-P6N

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 6VDC 3300MA P6 NEG C