IMC1812BN100J 全國供應商、價格、PDF資料

IMC1812BN100J詳細規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR WW 10UH 5% 1812

系列：IMC-1812

制造商：Vishay Dale

類型：鐵粉芯

電感：10µH

電流：

額定電流：250mA

電流_飽和值：-

容差：±5%

材料_磁芯：鐵粉

屏蔽：無屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 1.6 歐姆

不同頻率時的Q值：50 @ 2.52MHz

頻率_自諧振：20MHz

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：1812（4532 公制）

大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W x 0.126" H（4.50mm x 3.20mm x 3.20mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：散裝

• OPIA414BTRA

  光隔離器 - 晶體管，光電輸出    TT Electronics/Optek Technology    4-SMD，鷗翼型    PHOTOCOUPLER SMD ANLG OUT 4-PIN

• IKD06N60RF

  IGBT - 單路    Infineon Technologies    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3

• IMC1210SYR33K

  固定式    Vishay Dale    1210（3225 公制）    INDUCTOR WW 330NH 10% 1210

• MMSZ5245B-TP

  單二極管/齊納    Micro Commercial Co    SOD-123    DIODE ZENER 500MW 15V SOD123

• IDT71V416YL12PH8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP

• OPA2376AIDR

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP 5.5MHZ DUAL LN 8SOIC

• OSA-SS-212DM3,000

  功率，高于 2 安    TE Connectivity        RELAY GEN PURPOSE DPST 3A 12V

• IKD15N60RF

  IGBT - 單路    Infineon Technologies    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

• NTTFS4929NTWG

  FET - 單    ON Semiconductor    8-WDFN 裸露焊盤    MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN

• IDT71V416YL12Y

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    44-BSOJ    IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ

• MMSZ5245ET1

  單二極管/齊納    ON Semiconductor    SOD-123    DIODE ZENER 15V 500MW SOD-123

• OPA2377AIDR

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP GP CMOS 5.5MHZ DL 8SOIC

• OS-D-5

  脫焊條，Wick 型    Easy Braid Co.    圓柱形，扁平端子（螺栓）    BRAID NO-CLEAN BLUE .100" X 5’

• IKD15N60RF

  IGBT - 單路    Infineon Technologies    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    IGBT 600V 30A 250W PG-TO252-3

• IMC1812BN101J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 100UH 5% 1812