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庫(kù)存索引1
» 型號(hào)"IMC1812BN1R0K"的供應(yīng)信息
IMC1812BN1R0K 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
按地區(qū):
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IMC1812BN1R0K詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:固定式
描述:INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1812
系列:IMC-1812
制造商:Vishay Dale
類(lèi)型:鐵粉芯
電感:1µH
電流:
額定電流:450mA
電流_飽和值:-
容差:±10%
材料_磁芯:鐵粉
屏蔽:無(wú)屏蔽
DC電阻333DCR444:最大 500 毫歐
不同頻率時(shí)的Q值:50 @ 7.96MHz
頻率_自諧振:100MHz
工作溫度:-55°C ~ 125°C
封裝/外殼:1812(4532 公制)
大小/尺寸:0.177" L x 0.126" W x 0.126" H(4.50mm x 3.20mm x 3.20mm)
安裝類(lèi)型:表面貼裝
包裝:散裝
IMC1812BN1R0K供應(yīng)商
IMC1812BN1R0K
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
IMC1812BN1R0K
深圳市科雨電子有限公司
171-4729-9698
IMC1812BN1R0K
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
IMC1812BN1R0K
深圳市金嘉銳電子有限公司
0755-22929859
IMC1812BN1R0K23
北京人上科技有限公司
13910052844(微
查看更多IMC1812BN1R0K的供應(yīng)商
IDT70V3389S5BCI8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA
GRM31M6T2A471JD01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 470PF 100V 5% T2H 1206
DTS090133SUDC-Z5N
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 9VDC 1330MA P5 NEG C
IMC1812BN151J
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 150UH 5% 1812
DSF100J333
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP FILM 0.033UF 100VDC RADIAL
IHSM4825ER270L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 27UH 1.6A SMD
LGX2H680MELZ30
電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 68UF 500V 20% SNAP
DS1110S-100
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
IDT70V3389S5PRF8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 1.125MBIT 5NS 128TQFP
GRM31M7U1H104JA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 0.1UF 50V 5% U2J 1206
IHSM4825ER5R6L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 5.6UH 3.8A SMD
DSF100J334
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP FILM 0.33UF 100VDC RADIAL
DS1110S-100+
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
LGX2H820MELZ35
電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 82UF 500V 20% SNAP
IDT70V3389S6PRF8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 128-LQFP IC SRAM 1.125MBIT 6NS 128TQFP
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