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IMC1812EBR22J 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：

IMC1812EBR22J詳細(xì)規(guī)格

類別：固定式

描述：INDUCTOR WW 220NH 5% 1812

系列：IMC-1812

制造商：Vishay Dale

類型：非磁性芯體

電感：220nH

電流：

額定電流：450mA

電流_飽和值：-

容差：±5%

材料_磁芯：無(wú)磁性

屏蔽：無(wú)屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 400 毫歐

不同頻率時(shí)的Q值：30 @ 25.2MHz

頻率_自諧振：350MHz

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：1812（4532 公制）

大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W x 0.126" H（4.50mm x 3.20mm x 3.20mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：散裝

• IHSM5832ER332L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 3300UH .18A SMD

• GS2965-INE3

  線性 - 視頻處理    Semtech    32-VFQFN 裸露焊盤(pán)    IC SDI RECLOCKER SMPTE 32QFN

• DSP1-DC48V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    2-SMD    RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 48V

• IMC1812EB82NM

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 82NH 20% 1812

• LGY2E331MELA

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 330UF 250V 20% SNAP

• DS1201N

  存儲(chǔ)器    Maxim Integrated    5-SIP 模塊    IC SRAM 1KBIT 100NS 5SIP

• GRM31MR71C225KA35L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 16V 10% X7R 1206

• IDT70V631S10BFG8

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA

• IHSM5832ER390L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 39UH 1.8A SMD

• GS2974ACNE3

  接口 - 專用    Semtech        RF, RFID, WIRELESS

• LGY2E471MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 470UF 250V 20% SNAP

• DS1210S/T&R

  存儲(chǔ)器 - 控制器    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC CONTROLLER CHIP NV 16-SOIC

• IDT70V631S12BC

  存儲(chǔ)器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA

• DSP1-L2-DC5V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    2-SMD    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V

• IHSM5832ER470L

  固定式    Vishay Dale    非標(biāo)準(zhǔn)    INDUCTOR POWER 47UH 1.77A SMD