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IPB05N03LA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：剪切帶 (CT)

IPB05N03LA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

IPB05N03LA G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

IPB05N03LAT詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

IPB05N03LAT詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.6 毫歐 @ 55A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3110pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：剪切帶 (CT)

IPB05N03LB詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5 毫歐 @ 60A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 40µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3209pF @ 15V; 功率_最大：94W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

F971C685KBA
鉭 Nichicon 1411（3528 公制） CAP TANT 6.8UF 16V 10% SMD
IPB057N06N
FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSF N CH 60V 17A TO263-3
F1350BB03
線路濾波器 Curtis Industries 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） FILTER GEN PURPOSE 3A WIRE
IMP4-3W0-4LE0-4NN0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IHLP1616ABER2R2M11
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 2.2UH 2.75A SMD
CS8141YT7
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 ON Semiconductor TO-220-7 IC REG LDO 5V .5A TO220-7
F971C685MBA
鉭 Nichicon 1411（3528 公制） CAP TANT 6.8UF 16V 20% 1411
IPB05CN10N G
FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
F971D105MAA
鉭 Nichicon 1206（3216 公制） CAP TANT 1UF 20V 20% 1206
IMP4-3W0-4LL0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
CS8147YTHA5
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 ON Semiconductor TO-220-5 成形引線 IC REG LDO 10V/5V TO220-5
IHLP1616ABER47NM01
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER .047UH 13.0A SMD
F971D106KCC
鉭 Nichicon 2413（6032 公制） CAP TANT 10UF 20V 10% SMD
IPB05N03LB G
FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
F971D156MNC
鉭 Nichicon 2917（7343 公制） CAP TANT 15UF 20V 20% 2917

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