IPD10 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IPD100N04S4-02詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 100A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 95µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：118nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：9430pF @ 25V

功率_最大：150W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3-313

包裝：帶卷 (TR)

IPD100N06S4-03詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 毫歐 @ 100A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：128nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：10400pF @ 25V

功率_最大：150W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3-11

包裝：帶卷 (TR)

IPD105N03L G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 30A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V

功率_最大：38W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3

包裝：剪切帶 (CT)

IPD105N03L G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 30A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V

功率_最大：38W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3

包裝：Digi-Reel®

IPD105N03L G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：35A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 30A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V

功率_最大：38W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3

包裝：帶卷 (TR)

IPD105N04L G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 40A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 14µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 20V

功率_最大：42W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3

包裝：帶卷 (TR)

• GRM1885C1H202JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 2000PF 50V 5% NP0 0603

• IPD1-03-D

  矩形 - 外殼    Samtec Inc    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    CONN HOUSING 6POS 2.54MM DUAL

• CZRQR22VB-HF

  單二極管/齊納    Comchip Technology    0402（1006 公制）    DIODE ZENER 22V 125MW 0402

• IRF9204PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-220-3    MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB

• HIP2100IRZT

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Intersil    16-VQFN 裸露焊盤    IC DRVR HALF BRDG 100V/2A 16-QFN

• HFA16TB120STRR

  單二極管/整流器    Vishay Semiconductors    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    DIODE HEXFRED 1200V 16A D2PAK

• ISL9011IRLLZ-T

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 2.9V .15A/.3A 10-DFN

• FSICECBLBSA

  過時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào)    Freescale Semiconductor        BUS ANALYZER CABLE

• GRM1885C1H220FA01J

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 22PF 50V 1% NP0 0603

• HIP2101EIBZT

  PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān)    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤    IC DRIVER HALF BRDG 100V 8EPSOIC

• IRF9310TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC

• ISL9011IRMGZ-T

  PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性    Intersil    10-VFDFN 裸露焊盤    IC REG LDO 3V/2.7V 10-DFN

• HFA200MD40D

  二極管，整流器    Vishay Semiconductors    TO-244AB    DIODE HEXFRED 400V 172A TO-244AB

• FSICECBLBSAE

  配件    Freescale Semiconductor        BUS ANALYZER CABLE

• GRM1885C1H221JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 220PF 50V 5% NP0 0603