IPI020N06N 全國供應商、價格、PDF資料

IPI020N06N詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSF N CH 60V 29A TO262-3

系列：OptiMOS™

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 100A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 143µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：7800pF @ 30V

功率_最大：3W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：PG-TO262-3

包裝：散裝

• CMF555K4900DEBF

  通孔電阻器    Vishay Dale    軸向    RES 5.49K OHM 1/2W .5% AXIAL

• HE2AN-AC48V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works        RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V

• IPFH6N03LA G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

• IHLP6767GZER5R6M11

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 5.6UH 28A SMD

• FN5500010

  振蕩器    Pericom    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 55MHZ 3.3V SMD

• FOXSLF/240F-20

  晶體    Fox Electronics    HC49/US    CRYSTAL 24.00000 MHZ 20PF

• INA129UG4

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC

• GRM0337U1H3R1CD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 3.1PF 50V U2J 0201

• HE2AN-S-AC120V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works        RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 120V

• IHLP6767GZER6R8M11

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 6.8UH 22.5A SMD

• FN5800001

  振蕩器    Pericom    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 58MHZ 3.3V SMD

• INA131BP

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Texas Instruments    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC OPAMP INSTR 70KHZ SGL 8DIP

• FOXSLF/250F-20

  晶體    Fox Electronics    HC49/US    CRYSTAL 25.0 MHZ 20PF

• GRM0337U1H3R1CD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 3.1PF 50V U2J 0201

• CMF555K6000FERE

  通孔電阻器    Vishay Dale    軸向    RES 5.6K OHM 1/2W 1% AXIAL