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IRF1010EZ詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF1010EZL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1010EZLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1010EZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF1010EZS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1010EZSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫歐 @ 51A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2810pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

F6F0.38TB
螺線形繞線，伸縮套管 Techflex 徑向，圓盤 FLAME RETARDANT 3/8" BLACK 150’
FAD1-08015CBJW12
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 80X15MM 12VDC BALL WIRE
IRF1010EZL
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
CRCW2512165KFKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 165K OHM 1W 1% 2512 SMD
IMC1812ER820K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 82UH 10% 1812
EYG.2B.314.NLN
連接器，互連器件 LEMO RECPT NUT FIX CDG 14CTS
F6F0.75TB
螺線形繞線，伸縮套管 Techflex 徑向，圓盤 FLAME RETARDANT 3/4" BLACK 100’
FAD1-08025CAAW11
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 80X25MM 12VDC BALL/SLVE WIRE
F6F1.00TB50
螺線形繞線，伸縮套管 Techflex 徑向，圓盤 FLAME RETARDANT 1" BLACK 50’
CRCW2512169RFKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 169 OHM 1W 1% 2512 SMD
EYG-A121810P
熱 - 墊，片 Panasonic Electronic Components PGS SHEET 115X180MM W/POLYESTER
IMC1812ER8R2K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 8.2UH 10% 1812
F6KY1G960B4NF-Z
SAW 濾波器 Taiyo Yuden 5-SMD，無引線 FILTER SAW 1.96GHZ PCS SMD
FAD1-08025CBAW11
風(fēng)扇 - DC Qualtek FAN 80X25MM 12VDC BALL WIRE
F6N0.13BK100
螺線形繞線，伸縮套管 Techflex 5-SMD，無引線 F6 SELF WRAP 1/8" BLACK 100’

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