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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF1310 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRF1310NL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 42A TO-262
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
功率_最大：3.8W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262
包裝：管件

IRF1310NPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
功率_最大：160W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

IRF1310NSPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
功率_最大：3.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
包裝：管件

IRF1310NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
功率_最大：3.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
包裝：剪切帶 (CT)

IRF1310NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
功率_最大：3.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
包裝：Digi-Reel®

IRF1310NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
功率_最大：3.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
包裝：帶卷 (TR)

IRF1310供應(yīng)商

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