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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF132 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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IRF1324LPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 24V 195A TO262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:24V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:195A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.65 毫歐 @ 195A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7590pF @ 24V
功率_最大:300W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
包裝:管件

IRF1324PBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:24V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:195A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.5 毫歐 @ 195A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7590pF @ 24V
功率_最大:300W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
包裝:管件

IRF1324S-7PPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:24V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:240A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1 毫歐 @ 160A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:252nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7700pF @ 19V
功率_最大:300W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK(7-Lead)
包裝:管件

IRF1324SPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 24V 195A D2-PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:24V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:195A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.65 毫歐 @ 195A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7590pF @ 24V
功率_最大:300W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRF1324STRL-7PP詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:24V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:240A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1 毫歐 @ 160A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:252nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7700pF @ 19V
功率_最大:300W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK(7-Lead)
包裝:Digi-Reel®

IRF1324STRL-7PP詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:24V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:240A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1 毫歐 @ 160A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:252nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7700pF @ 19V
功率_最大:300W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK(7-Lead)
包裝:剪切帶 (CT)

IRF132供應(yīng)商

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