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IRF1405S詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：131A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 101A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1405SPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：131A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 101A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1405STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：131A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 101A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF1405STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：131A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 101A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF1405STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：131A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 101A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1405STRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：131A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.3 毫歐 @ 101A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5480pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

K561K15X7RK5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 200V X7R RADIAL
LCBG-1-01
配件 Richco Plastic Co 6-SMD（0.300"，7.62mm） CIRCUIT BRD GUIDE LOCK .825"L
IRF1404PBF
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 202A TO-220AB
LP3981ILD-3.03/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3.03V .3A 6LLP
LD02YC102KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 1000PF 16V 10% X7R 0402
ECW-U2182V16
薄膜 Panasonic Electronic Components 1913（4833 公制） CAP FILM 1800PF 250VDC 1913
ECW-H16112JV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1100PF 1.6KVDC RADIAL
JQ1AP-5V-F
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模塊，1/2 磚 RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 5V
K561K15X7RL5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 500V X7R RADIAL
LP3981ILDX-2.5/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.5V .3A 6-LLP
LD02YC103KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 10000PF 16V 10% X7R 0402
ECW-U2183JC9
薄膜 Panasonic Electronic Components 1913（4833 公制） CAP FILM 0.018UF 250VDC 1913
ECW-H16112RHV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1100PF 1.6KVDC RADIAL
JQ1P-12V-F
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模塊，1/2 磚 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
K561K15X7RL5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 500V X7R RADIAL

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