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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF2804STRL 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào):廠商:批號(hào):封裝:
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IRF2804STRL詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 75A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6450pF @ 25V
功率_最大:330W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRF2804STRL7PP詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 160A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6930pF @ 25V
功率_最大:330W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK(7-Lead)
包裝:剪切帶 (CT)

IRF2804STRL7PP詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 160A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6930pF @ 25V
功率_最大:330W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK(7-Lead)
包裝:帶卷 (TR)

IRF2804STRL7PP詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:160A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.6 毫歐 @ 160A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6930pF @ 25V
功率_最大:330W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-7,D²Pak(6 引線+接片),TO-263CB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK(7-Lead)
包裝:Digi-Reel®

IRF2804STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 75A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6450pF @ 25V
功率_最大:300W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRF2804STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:75A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 毫歐 @ 75A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:240nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:6450pF @ 25V
功率_最大:300W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:剪切帶 (CT)

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