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IRF2805S 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠(chǎng)商：批號(hào)：封裝：

IRF2805SPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：135A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 毫歐 @ 104A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5110pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF2805STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：135A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 毫歐 @ 104A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5110pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

IRF2805STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：135A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 毫歐 @ 104A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5110pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

IRF2805STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：135A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 毫歐 @ 104A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5110pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF2805STRRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：135A

開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.7 毫歐 @ 104A，10V

Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5110pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線(xiàn)+接片），TO-263AB

供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• F750J227MCC

  鉭    Nichicon    2812（7132 公制）    CAP TANT 220UF 6.3V 20% 2812

• FAD1-12038CSLW32

  風(fēng)扇 - DC    Qualtek        FAN 120X38.5MM 12VDC SLEEVE WIRE

• CRCW2512187RFKTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 187 OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRF2804STRL7PP

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-7，D²Pak（6 引線(xiàn)+接片），TO-263CB    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

• F750J337KDC

  鉭    Nichicon    2917（7343 公制）    CAP TANT 330UF 6.3V 10% 2917

• IMC1812RQ101K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 100UH 10% 1812

• FAD1-12038DBAW12

  風(fēng)扇 - DC    Qualtek        FAN 120X38.5MM 24VDC BALL WIRE

• EYM08DRSD-S288

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND

• F750J477KDC

  鉭    Nichicon    2917（7343 公制）    CAP TANT 470UF 6.3V 10% 2917

• CRCW251218K0JNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 18K OHM 1W 5% 2512 SMD

• F750J687KDC

  鉭    Nichicon    2917（7343 公制）    CAP TANT 680UF 6.3V 10% 2917

• IMC1812RQ102K

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR WW 1000UH 10% 1812

• EYM08DRSN-S288

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND

• FAD1-12038DSMW12

  風(fēng)扇 - DC    Qualtek        FAN 120X38.5MM 24VDC SLEEVE WIRE

• F751A227KCC

  鉭    Nichicon    2812（7132 公制）    CAP TANT 220UF 10V 10% 2812