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IRF2807Z詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF2807ZL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF2807ZLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF2807ZPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF2807ZS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF2807ZSPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 53A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3270pF @ 25V; 功率_最大：170W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

FFD35US-20480-P80
存儲器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 20GB
H5BXT-10106-V9-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2728TR/C2064V/X 6"
IRF2807STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
ISL21080DIH312Z-TK
PMIC - 電壓基準 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SERIES 1.25V SOT-23-3
GKZS7
配件 Honeywell Sensing and Control KEY 90DEG KEY FOR GKS SERIES
H11L1SR2M
光隔離器 - 邏輯輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER LOGIC OUT 6-SMD
FFD35US-24576-X-P68
存儲器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 24GB
H11L1TM
光隔離器 - 邏輯輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-DIP（0.400"，10.16mm） OPTOCOUPLER SCHMITT-TRIG 6-DIP
FFD35US-26624-N-P68
存儲器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 26GB
GKZS7
配件 Honeywell Sensing and Control KEY 90DEG KEY FOR GKS SERIES
H11L2S(TA)-V
光隔離器 - 邏輯輸出 Everlight Electronics Co Ltd 6-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER SCHMITT TRIG 6-SMD
ISL21090BFB812Z-TK
PMIC - 電壓基準 Intersil * IC VREF SERIES PREC 1.25V 8-SOIC
FFD35US-28672-N-P80
存儲器，PC 卡 SanDisk FFD 3.5" ULTRA NARROW SCSI 28GB
H11L2SR2M
光隔離器 - 邏輯輸出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER LOGIC OUT 6-SMD
IRF2807ZSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

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