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IRF2907ZLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 75A TO262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF2907ZPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF2907ZS-7PPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 110A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
- 供應商設備封裝：D2PAK（7-Lead）
- 包裝：管件
IRF2907ZSPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF2907ZSTRL7PP詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 110A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
- 供應商設備封裝：D2PAK（7-Lead）
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF2907ZSTRL7PP詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：75V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：160A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 110A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
- 供應商設備封裝：D2PAK（7-Lead）
- 包裝：Digi-Reel®
- FET - 單 International Rectifier 6-PowerVDFN MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
- 接口 - 驅動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盤 IC RCVR RS485/422 QD ESD 24QFN
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 75V 75A TO262
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
- 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 EMITTER ONLY FOR E3Z-T61
- 評估板 - 線性穩(wěn)壓器 (LDO) Intersil EVAL BOARD 2.85V/2.85V ISL9000KK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET MOUNT FOR VERT E3S-A
- 固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 單 International Rectifier 6-PowerVDFN MOSFET N-CH 20V 10A PQFN
- 光學 - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 NPN,T-B,TWIST&CLICK, M12
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET E3S VERT SENSORS
- 評估板 - 線性穩(wěn)壓器 (LDO) Intersil EVAL BOARD 3.3V/2.5V ISL9000NF
- 固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP
021-62153656青 
