IRF331 全國供應商、價格、PDF資料

IRF3314STRL詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id時的Vgs333th444（最大）：-

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF3314STRR詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V D2PAK

系列：-

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-

Id時的Vgs333th444（最大）：-

閘電荷333Qg4440a0Vgs：-

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF3315詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：136W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF3315L詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRF3315LPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRF3315PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 150V 21A TO-220AB

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：150V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：23A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 12A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：94W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

• IRF4905STRLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK

• IRF7413ZTR

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

• IRF3314STRR

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 150V D2PAK

• E32-T15Y 2M

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        SENS FIBER SIDEVIEW THRUBEAM 2M

• IMP1-1Q0-3E0-1E0-2D0-43-A

  AC DC 轉換器    Emerson Network Power/Embedded Power        IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• DTS26F19-32HA

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN PLUG 32POS STRGHT W/PINS

• IPP086N10N3 G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-220-3    MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

• HCM1305-1R0-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標準    INDUCTOR HIGH CURRENT 1.0UH SMD

• IRF510STRRPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

• E32-T15Y 2M

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        SENS FIBER SIDEVIEW THRUBEAM 2M

• IMP1-2E0-1B0-1L0-1N0-1Q0-1W0-00-A

  AC DC 轉換器    Emerson Network Power/Embedded Power    SC-74，SOT-457    IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY

• DTS26F19-32JB

  連接器，互連器件    TE Connectivity        CONN PLUG 32POS STRGHT W/SKT

• IPP08CN10N G

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-220-3    MOSFET N-CH 100V 95A TO-220

• HCM1305-R47-R

  固定式    Cooper Bussmann    非標準    INDUCTOR HIGH CURRENT 0.47UH SMD

• E32-T15YR 2M

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        SENS FIBER HI FLEX THRUBEAM 2M