

IRF3315詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 27A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:27A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:136W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF3315L詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3315LPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRF3315PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:23A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:94W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF3315S詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3315SPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:150V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:82 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
- 過時/停產(chǎn)零件編號 Intersil EVALUATION BOARD ISL6413
- FET - 單 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 150V 21A TO-262
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 16.257 MHZ 18PF SMD
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.8V .15A SOT23-5
- 晶體 ECS Inc 4-SOJ,9.40mm 間距 CRYSTAL 12.288MHZ 20PF SMD
- 晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG LDO TRPL OUTP 16QFN
- FET - 單 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 2.9V .15A SOT23-5
- 晶體 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 16.257 MHZ 20PF SMD
- 晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 10.000MHZ SERIES SMD
- FET - 單 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 2.7UH 5% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK