IRF3708S詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V
- 功率_最大：87W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF3708SPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V
- 功率_最大：87W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF3708STRL詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V
- 功率_最大：87W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF3708STRLPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V
- 功率_最大：87W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF3708STRR詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V
- 功率_最大：87W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF3708STRRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：62A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V
- 功率_最大：87W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非標準 CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 66POS SKT
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER AREA 11MM SIDEVIEW
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非標準 CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 66POS SKT
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 單 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER AREA 11MM SIDEVIEW
0755-88291559 
