

IRF3709ZS詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:87A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2130pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3709ZSPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:87A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2130pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3709ZSTRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:87A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2130pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3709ZSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:87A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2130pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3709ZSTRR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:87A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2130pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3709ZSTRRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:87A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6.3 毫歐 @ 21A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2130pF @ 15V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100LQFP
- LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM ALINGAP2 AMBER 30X70DEG
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
- FET - 單 IXYS TO-3P-3,SC-65-3 MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTSWASHERS 100EA ST
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 評估演示板和套件 Intersil SC-74A,SOT-753 BOARD EVALUATION FOR ISL88015
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 311 MHZ 2.5V LVDS SMD
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 52-QFP IC SRAM 16KBIT 25NS 52QFP
- 配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTSWASHERS 100EA ST
- FET - 單 IXYS ISOPLUS247? MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
- PMIC - 監(jiān)控器 Intersil SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 IC VOLT SUPERVISOR TSOT23-6
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 150 MHZ 2.5V LVDS SMD
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 512KX18 3.3V SYN 100TQFP