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IRF3710SPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：57A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 28A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF3710STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：57A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 28A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3710STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：57A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 28A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF3710STRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：57A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 28A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF3710STRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：57A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 28A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3710STRRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：57A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 28A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3130pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IMS05EB390K
固定式 Vishay Dale WW SMD INDUCTOR 5 39 10%
IRF3710STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
IHLP3232CZER8R2M11
固定式 Vishay Dale IHLP-3232CZ-11 8.2 20% ER E3
CRT1-TS04T
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COMPONET 4 PT THERMOCOUPLE
IPD640N06L G
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 18A TO-252
F175A3-062-D0550
風扇 - DC NMB Technologies Corporation IMPELLER 175X69.3MM 24VDC 505CFM
CRT1-VAD04ML
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 4 ANALOG IN MIL
IPD65R600E6
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
IHLP3232CZERR33M11
固定式 Vishay Dale IHLP-3232CZ-11 .33 20% ER E3
CRT1-VAD04S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 4 ANALOG IN ECON
IPD70N04S3-07
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
F1760AA20
線路濾波器 Curtis Industries FILTER HI PERFORM 20A FASTON
CRT1-VAD04S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 4 ANALOG IN ECON
IPD70N10S3-12
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
IHLP3232DZER100M11
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 10UH 5.4A SMD