

IRF3711ZS詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3711ZSPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF3711ZSTRL詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3711ZSTRLPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3711ZSTRR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF3711ZSTRRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:92A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 毫歐 @ 15A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:24nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2150pF @ 10V
- 功率_最大:79W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 背板 - 專用 FCI METRAL RCT STR PF 4X42
- FET - 單 International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 寬) MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
- 旋轉 Electroswitch - SWITCH ROTARY 8P-8POS OPEN FRAME
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.5V/2.9V 10-DFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3Z XY JOINT TYPE
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC LINEAR
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT WARP 600V 55A TO247AC
- 背板 - 專用 FCI METRAL RCT STR STB 5X12
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.8V/1.8V 10-DFN
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3Z XY JOINT TYPE
- FET - 單 International Rectifier 6-LSOP(0.063",1.60mm 寬) MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT W/DIODE 1200V 11A TO-247AC
- 接口 - 驅動器,接收器,收發(fā)器 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC LINEAR
- 背板 - 專用 FCI METRAL HDR STR PF 4X6