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IRF3717PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF3717TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF3717TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF3717TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF3717TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2890pF @ 10V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

ECS-184-20-28AX-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432MHZ 20PF SMD
IXTV110N25TS
FET - 單 IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
IRF3711STRL
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
ISC1812RV560K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 56UH 10% 1812
ECS-143-18-4XEN
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818 MHZ 18PF 49US
LMV344MA
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OPAMP 2.7V RRIO QUAD 14SOIC
ECS-184-20-33-CKM-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF SMD
LP2985ITPX-3.0/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 5-UFBGA IC REG LDO 3V .15A 5-USMD
IXTV18N60PS
FET - 單 IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
ISC1812RV5R6J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 5.6UH 5% 1812
LMV344MTX/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC OP AMP 2.7V RRIO QUAD 14TSSOP
ECS-143-18-9X
晶體 ECS Inc 圓柱形罐，徑向 CRYSTAL 14.31818 MHZ 18PF CYL
LP2985ITPX-5.0/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments 5-UFBGA IC REG LDO 5V .15A 5-USMD
IXTX20N150
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247
ISL6444CA-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC CONTROLLER DDR 28-QSOP

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