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IRF510S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF510SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF510STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF510STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF510STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF510STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

H2BXT-10104-R6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049R/X 4"
IRF510STRR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS WALL MNT W/PINS
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FGA.1B.310.CLAD52Z
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跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048W/X 4"
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FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
H2BBG-10110-B8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048B/H1501TR 10
H2BXT-10105-L4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A2015L/X 5"
IPD64CN10N G
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
FGA.1B.314.CLAD72Z
連接器，互連器件 LEMO PLUG CDA 14CTS C-COL
H2BXT-10105-L8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048L/X 5"

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