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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF52 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IRF520詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 5.5A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V
功率_最大：60W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

IRF520詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
系列：STripFET™
制造商：STMicroelectronics
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 7A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V
功率_最大：60W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

IRF520N詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
功率_最大：48W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

IRF520NL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
功率_最大：3.8W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262
包裝：管件

IRF520NLPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
功率_最大：3.8W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262
包裝：管件

IRF520NPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 5.7A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V
功率_最大：48W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

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