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IRF530N,127詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：633pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF530NL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF530NPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：70W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF530NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF530NSPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF530NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：920pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IN3003CAM2
相機，投影儀 Tripp Lite SC-74，SOT-457 CAMERA USB W/MIC CLIP-ON
IPM04S0A0R10FA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 5-SIP 模塊 POWER MODULE IPOL 10A
IRF530NS
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
CRT1-VOD32ML
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT NPN MIL
IPM12S0A0S08FA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模塊 POWER MODULE IPOL 8A SMD
IHLP4040DZER6R8M11
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 6.8UH 9.0A SMD
INA126E/2K5G4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP
IN3005KB
鍵盤 Tripp Lite SC-74，SOT-457 KEYBOARD USB W/HOTKEYS
CRT1-VOD32ML
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT NPN MIL
CRT1-VOD32ML-1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 32 OUT PNP MIL
IPM24S0A0S03FA
DC DC Converters Delta Product Groups/Power 7-SMD 模塊 MODULE POWER DC/DC POL 3A
IHLP4040DZERR36M01
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER .36UH 31.5A SMD
INA103KP
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP INSTR 6MHZ SGL 16DIP
INA126EA/250
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP INSTR 200KHZ SGL 8MSOP
IRF530STRRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK

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