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庫存索引205
» 型號(hào)"IRF5803"的供應(yīng)信息
IRF5803 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
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IRF5803D2詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:管件
IRF5803D2PBF詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:管件
IRF5803D2TR詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
IRF5803D2TRPBF詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®
IRF5803D2TRPBF詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)
IRF5803D2TRPBF詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
系列:FETKY™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):二極管(隔離式)
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)
IRF5803供應(yīng)商
IRF5803TRPBF
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
IRF5803TRPBF
輝華拓展
0755-83202411
IRF5803TRPBF
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
13410941925
IRF5803TRPBF
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
IRF5803TR
深圳市銀芯龍科技有限公司
13510131896
IRF5803TRPBF
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
IRF5803TRPBF
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司
0755-83222787
IRF5803D2TRPBF
HECC GROUP CO,LIMITED
755-83241160(
IRF5803TRPBF
深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
0755-88291559
IRF5803TRPBF
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
IRF5803TRPBF
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
0755-82569753
IRF5803TRPBF
深圳市芯福林電子科技有限公司
0755-82574045
IRF5803TRPBF
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
0755-82522939
IRF5803TRPBF
深圳市裕碩科技有限公司
0755-23613962
IRF5803TRPBF
深圳市金億泰電子有限公司
755-83252273
IRF5803TRPBF
芯惠(深圳)電子科技有限公司
0755-82525087
查看更多IRF5803的供應(yīng)商
LMV823AIST
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC OPAMP GP LP RR DUAL 10MSOP
K180K15C0GF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
IRF5802TR
FET - 單 International Rectifier 6-TSOP(0.059",1.50mm 寬) MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
ECQ-E6473JF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
KTR10EZPF9103
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 910K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
ISL6612BECB
PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
IXFT52N50P2
FET - 單 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 52A TO268
K183K15X7RK5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 200V 10% RADIAL
K180K15C0GF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
ISL6612BIB
PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
KTR10EZPJ100
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 10 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
IXFT58N20Q
FET - 單 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
K183M10X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
K180K15C0GF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
IRF5806TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-TSOP(0.059",1.50mm 寬) MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
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