

IRF5803D2詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF5803D2PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF5803D2TR詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF5803D2TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF5803D2TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF5803D2TRPBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列:FETKY™
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:二極管(隔離式)
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:112 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:37nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC OPAMP GP LP RR DUAL 10MSOP
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- FET - 單 International Rectifier 6-TSOP(0.059",1.50mm 寬) MOSFET N-CH 150V 900MA 6-TSOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 910K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
- FET - 單 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 500V 52A TO268
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 200V 10% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 10 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- FET - 單 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
- FET - 單 International Rectifier 6-TSOP(0.059",1.50mm 寬) MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP