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IRF5810 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF5810TR詳細規(guī)格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.9A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 16V
功率_最大:960mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSOP(0.059",1.50mm 寬)
供應商設備封裝:Micro6?(TSOP-6)
包裝:帶卷 (TR)

IRF5810TRPBF詳細規(guī)格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.9A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 16V
功率_最大:960mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSOP(0.059",1.50mm 寬)
供應商設備封裝:Micro6?(TSOP-6)
包裝:剪切帶 (CT)

IRF5810TRPBF詳細規(guī)格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.9A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 16V
功率_最大:960mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSOP(0.059",1.50mm 寬)
供應商設備封裝:Micro6?(TSOP-6)
包裝:帶卷 (TR)

IRF5810TRPBF詳細規(guī)格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:2.9A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.9A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 16V
功率_最大:960mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-TSOP(0.059",1.50mm 寬)
供應商設備封裝:Micro6?(TSOP-6)
包裝:Digi-Reel®

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