IRF610詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：36W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF6100詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.1A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V
- 功率_最大：2.2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：4-FlipFet?
- 供應商設備封裝：4-FlipFet?
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6100詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.1A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V
- 功率_最大：2.2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：4-FlipFet?
- 供應商設備封裝：4-FlipFet?
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6100PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 5.1A，4.5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1230pF @ 15V
- 功率_最大：2.2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：4-FlipFet?
- 供應商設備封裝：4-FlipFet?
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF610L詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF610LPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V
- 功率_最大：36W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：I2PAK
- 包裝：管件
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關穩(wěn)壓器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8-LLP
- 按鈕 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPDT 0.5A 48V
- FET - 陣列 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP
- 接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 3.3V LP 8-S
- PMIC - 監(jiān)控器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC DETECTOR UNDERVOLT 3V SOT23-5
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 5% RADIAL
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關穩(wěn)壓器 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8-LLP
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 35A SMD
- DIP E-Switch SW DIP PIANO SPST 9 POS SEALED
- 接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 3.3V LP 8SOIC
- PMIC - 監(jiān)控器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC DETECT UNDERVOLT 2.7V SOT23-5
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 10% RADIAL
- 按鈕 APEM Components, LLC TO-220-3 SWITCH PUSH SPDT 0.5A 48V
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 35A SMD
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關穩(wěn)壓器 Texas Instruments * IC REG SWITCHD CAP INV ADJ 8MSOP
0755-83286481 
