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IRF614詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF614L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF614PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF614S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF614SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF614STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

ISL8394IB
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC SWITCH QUAD SPDT 20SOIC
LM8365BCLMF30/NOPB
PMIC - 監(jiān)控器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC DETECT UNDERVOLT 3V SOT-23-5
IP-RIOPHY
軟件 Altera TO-220-3 IP RAPID I/O
IRF614S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
KAP-14DG-24
功率，高于 2 安 TE Connectivity RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
LM2696MXAX/NOPB
未定義的系列 Texas Instruments 16-TSSOP（0.173"，4.40mm）裸露焊盤 IC REG BUCK ADJ 3A 16-TSSOP
IHLP6767GZER4R7M11
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 4.7UH 30A SMD
K334M20X7RF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
LM83CIMQAX/NOPB
未定義的系列 Texas Instruments * IC TEMP SENSOR DIGITAL 16-SSOP
KAP-5AG-120
功率，高于 2 安 TE Connectivity RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 120V
IPR-NCO
軟件 Altera TO-220-3 IP NCO COMPILER RENEW
LM26CIM5-BPB/NOPB
溫度 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT23-5
IHLP6767GZER6R8M01
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 6.8UH 19A SMD
K334M20X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
LM84BIMQAX/NOPB
PMIC - 熱管理 Texas Instruments * IC TEMP SENSOR DIGITAL 16-SSOP

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