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庫存索引467
» 型號"IRF6215"的供應(yīng)信息
IRF6215 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料
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IRF6215L詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:13A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 6.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
包裝:管件
IRF6215L-103PBF詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:13A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 6.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
包裝:管件
IRF6215LPBF詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 150V 13A TO-262
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:13A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 6.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
包裝:管件
IRF6215PBF詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 150V 13A TO-220AB
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:13A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 6.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
功率_最大:110W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
包裝:管件
IRF6215S詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:13A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 6.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:管件
IRF6215SPBF詳細(xì)規(guī)格
類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:150V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:13A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:290 毫歐 @ 6.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:860pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:管件
IRF6215供應(yīng)商
IRF6215PBF
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
IRF6215L
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
0755-88917652
IRF6215S
HECC GROUP CO,LIMITED
755-88608527(
IRF6215PBF
深圳思諾康科技有限公司
0755-83286481
IRF6215S
HECC GROUP CO,LIMITED
755-83950890(
IRF6215STRLPBF
深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
0755-88291559
IRF6215STRLPBF
深圳市正信鑫科技有限公司
0755-22655674
IRF6215STRLPBF
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
0755-82522939
IRF6215PBF
深圳市金億泰電子有限公司
755-83252273
IRF6215SPBF
深圳市華雄半導(dǎo)體(集團(tuán))有限公司
0512-67241533
IRF6215STRLPBF
深圳市煦洪科技有限公司
18820154873
IRF6215PBF
北京元坤國際科技有限公司
010-62962871、
IRF6215STRLPBF
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23915992
IRF6215STRLPBF
深圳市和諧世家電子有限公司
0755-82731800
IRF6215STRLPBF
深圳市巨盛邦電子有限公司
19129493510
IRF6215STRLPBF
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
13410941925
查看更多IRF6215的供應(yīng)商
K183M15X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
IXFT80N20Q
FET - 單 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
LM56CIMM
溫度 Texas Instruments IC THERMOSTAT DUAL LO PWR 8-MSOP
ECQ-E6474KFW
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.47UF 630VDC RADIAL
IRF620STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
ISL6612CBZA-TR5214
PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
IXFT94N30T
FET - 單 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
K183M15X7RH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 100V 20% RADIAL
KTR10EZPJ1R0
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 1.0 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
ECQ-E6563JF3
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL
ISL6612CBZR5238
PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
KTR10EZPJ220
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 22 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
IXFT9N80Q
FET - 單 IXYS TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
K183M20X7RL53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 500V 20% RADIAL
LM57CISD-10/NOPB
溫度 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC PROG TEMP SWITCH SENSOR 8-LLP
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