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IRF630詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220; 系列：MESH OVERLAY™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：75W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF630B_FP001詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：720pF @ 25V; 功率_最大：72W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：管件

IRF630BTSTU_FP001詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：720pF @ 25V; 功率_最大：72W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：管件

IRF630FP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP; 系列：MESH OVERLAY™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 4.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：30W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220FP; 包裝：管件

IRF630L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 5.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF630NL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 5.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V; 功率_最大：82W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IHLP5050FDERR10M01
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER .10UH 60A SMD
INA138NA/3KG4
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 0.5% SOT23-5
F981A476MSA
鉭 Nichicon 0805（2012 公制） CAP TANT 47UF 10V 20% SMD
EXB-34V623JV
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 0606（1616 公制），凸起 RES ARRAY 62K OHM 2 RES 0606
IRF630B_FP001
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
F981D105MMA
鉭 Nichicon 0603（1608 公制） CAP TANT 1UF 20V 20% 0603
IHLP5050FDERR40M01
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER .40UH 44A SMD
INA138QPWRQ1
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC CURRENT MONITOR 0.5% 8TSSOP
FA10309_K2S-M
光學(xué) - LED，燈 - 透鏡 Ledil - LENS FOR LUXEON K2
FA10336_NIS83-MX-RS
光學(xué) - LED，燈 - 透鏡 Ledil - LENS FOR CREE MX-6
IHLP6767DZER2R2M11
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 2.2UH 26A SMD
INA139NA/250
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 0.5% SOT23-5
EXB-34V6R8JV
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 0606（1616 公制），凸起 RES ARRAY 6.8 OHM 2 RES 0606
FA10340_NIS83-MX-O
光學(xué) - LED，燈 - 透鏡 Ledil - LENS FOR CREE MX-6
IRF630NSPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

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