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庫(kù)存索引970
» 型號(hào)"IRF640NS"的供應(yīng)信息
IRF640NS 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
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廠(chǎng)商:
批號(hào):
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IRF640NSPBF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:管件
IRF640NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:Digi-Reel®
IRF640NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)
IRF640NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:剪切帶 (CT)
IRF640NSTRRPBF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:剪切帶 (CT)
IRF640NSTRRPBF詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點(diǎn):標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:18A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:150 毫歐 @ 11A,10V
Id時(shí)的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:67nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1160pF @ 25V
功率_最大:150W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK
包裝:Digi-Reel®
IRF640NS供應(yīng)商
IRF640NSTRLPBF
輝華拓展
0755-82575207
IRF640NS
深圳市俊暉半導(dǎo)體有限公司
13410941925
IRF640NSTRLPBF
深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司
0755-82561519
IRF640NSPBF
錦迅科技(香港)有限公司
0755-83226745
IRF640NSTRR
深圳市銀芯龍科技有限公司
13510131896
IRF640NS
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
0755-88917652
IRF640NSTRLPBF
深圳市歐立現(xiàn)代科技有限公司
0755-83222787
IRF640NSTRLPBF
深圳市樂(lè)創(chuàng)天科技有限公司
0755-83202997
IRF640NSTRLPBF
深圳宇邦高科技有限公司
15899765957 1
IRF640NSTRLPBF
深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
0755-88291559
IRF640NSTRLPBF
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
IRF640NSTRLPBF
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司
0755-82569753
IRF640NSTRLPBF
深圳勤思達(dá)科技有限公司
0755-83268779
IRF640NSTRLPBF
深圳市芯福林電子科技有限公司
0755-82574045
IRF640NSPBF
深圳市金芯陽(yáng)科技有限公司
075584505750
IRF640NSTRLPBF
深圳市川藍(lán)電子科技有限公司
0755-82522939
查看更多IRF640NS的供應(yīng)商
FA10660_LXP-M
光學(xué) - LED,燈 - 透鏡 Ledil - LENS LXP MEDIUM 26DEG
IHLP6767DZER5R6M11
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 5.6UH 15A SMD
INA139NA/250G4
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC CURRENT MONITOR 0.5% SOT23-5
EXB-34V752JV
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 0606(1616 公制),凸起 RES ARRAY 7.5K OHM 2 RES 0606
IRF630STRRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IHLP6767GZER100M11
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 10UH 19A SMD
EXB-34V823JV
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 0606(1616 公制),凸起 RES ARRAY 82K OHM 2 RES 0606
INA139QPWRQ1
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC CURRENT MONITOR 0.5% 8TSSOP
IRF634L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3,長(zhǎng)引線(xiàn),I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-262
IHLP6767GZER100M51
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 10UH 16A SMD
INA141U/2K5
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP INSTR 1MHZ SGL 8SOIC
EXB-34V9R1JV
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 0606(1616 公制),凸起 RES ARRAY 9.1 OHM 2 RES 0606
IPU06N03LA G
FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長(zhǎng)引線(xiàn),IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
FCT162373CTPACTG4
邏輯 - 鎖銷(xiāo) Texas Instruments 48-TFSOP(0.240",6.10mm 寬) IC DTYPE LATCH 16BIT 48TSSOP
IPUSB1MS
USB PHIHONG USA TO-251-3 長(zhǎng)引線(xiàn),IPak,TO-251AB CABLE USB A TO MICRO-B 1.5M
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