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IRF6610詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1520pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6610TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1520pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6610TR1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1520pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6610TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1520pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6610TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1520pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6610TR1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1520pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：Digi-Reel®

LM6181IMX-8/NOPB
未定義的系列 Texas Instruments * IC AMP CURR FEEDBK 100MHZ 8-SOIC
K181K10C0GH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 100V 10% RADIAL
IRF6609TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
ISL6614CRZ-TR5214
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC DRVR DUAL SYNC BUCK 16-QFN
ECQ-M4272KZ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 2700PF 400VDC RADIAL
K220J10C0GH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 22PF 100V 5% RADIAL
IXGA16N60B2
IGBT - 單路 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT FAST B2 600V 40A TO-263
LM6181IN/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC AMP CUR FEEDBACK 100MHZ 8-DIP
K181K10X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 50V 10% RADIAL
ISL6614CRZ-TR5238
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC DRVR DUAL SYNC BUCK 16-QFN
ECQ-M4273KZ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.027UF 400VDC RADIAL
IXGA20N100
IGBT - 單路 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT 1000V 40A TO-263
K220J15C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 22PF 50V 5% RADIAL
K181K10X7RH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 180PF 100V X7R RADIAL
LM61CIM3X
溫度 Texas Instruments IC TEMP SENSOR 2.7V SOT23-3

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