

IRF6616詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3765pF @ 20V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6616TR1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3765pF @ 20V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6616TR1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3765pF @ 20V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6616TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3765pF @ 20V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:Digi-Reel®
IRF6616TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3765pF @ 20V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6616TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:19A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 毫歐 @ 19A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.25V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:3765pF @ 20V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/PINS
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 100POS SKT
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
- 接口 - 驅(qū)動器,接收器,收發(fā)器 Maxim Integrated 28-LCC(J 形引線) IC LIU T1/J1 3.3V 28-PLCC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/PINS
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS PIN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EYELET
- 接口 - 電信 Maxim Integrated 100-LQFP IC TXRX 1-CHIP T1 3.3V 100-LQFP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/SKT