

IRF6619詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6619詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6619TR1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF6619TR1詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6619TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF6619TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:30A
- 開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.2 毫歐 @ 30A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.45V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:57nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:5040pF @ 10V
- 功率_最大:2.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:DirectFET? 等容 MX
- 供應商設備封裝:DIRECTFET? MX
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 53POS FLANGE W/SKT
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS SKT
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 53POS JAM NUT W/SKT
- 接口 - 電信 Maxim Integrated 100-LQFP IC TXRX E1 3.3V 100-LQFP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-DIP(0.300",7.62mm) IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8DIP
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS PIN
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 10POS PIN
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS
- 接口 - 電信 Maxim Integrated 100-LQFP IC TXRX E1 1-CHIP 3.3V 100-LQFP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP INSTR 1.3MHZ SGL 8SOIC
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 53POS SKT
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 10POS STRGHT W/PINS
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET