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IRF6636TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應商設備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6636TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應商設備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6636TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應商設備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6636TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應商設備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：Digi-Reel®

IRF6636TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應商設備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6636TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應商設備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：帶卷 (TR)

IR2130STR
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC
FD4000136
振蕩器 Pericom 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 40MHZ 1.8V SMD
IRF6633TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MP MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
FD5000033
振蕩器 Pericom 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 50MHZ 3.3V SMD
IR2130STRPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28SOIC
EXB-38V243JV
網(wǎng)絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 24K OHM 4 RES 1206
INA194AIDBVT
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
FD5400017
振蕩器 Pericom 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 54MHZ 1.8V SMD
IR2132S
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC
FD6250008
振蕩器 Pericom 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 62.5MHZ 3.3V SMD
IR2132SPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC
EXB-38V273JV
網(wǎng)絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 27K OHM 4 RES 1206
INA194AIDBVTG4
PMIC - 穩(wěn)流/電流管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC CURRENT MONITOR 3% SOT23-5
FD6600016
振蕩器 Pericom 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 66MHZ 3.3V SMD
IHSM3825ER330L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 33UH .92A SMD