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IRF6637詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6637TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6637TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6637TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6637TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6637TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫歐 @ 14A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1330pF @ 15V; 功率_最大：2.3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MP; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MP; 包裝：Digi-Reel®

ISL6744ABZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
IRF6637TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MP MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
LM71QCIMF/NOPB
PMIC - 熱管理 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC SENSOR DGTL SPI/MICRO SOT23
IXGH32N60CD1
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT W/DIODE 600V 60A TO-247AD
K221K10C0GF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 50V 10% RADIAL
LMX2430SLEX/NOPB
時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Texas Instruments 20-UFQFN，CSP IC FREQ SYNTH DUAL 20LAMUTCSP
KTR18EZPJ270
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 27 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
ISL6744ABZ-TR5252
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
L78L33ABD-TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG LDO 3.3V .1A 8-SOIC
IXGH36N60A3D4
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 600V TO-247
LMX2434TMX/NOPB
時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Texas Instruments 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SYNTHESIZER DUAL 5GHZ 20TSSOP
K221K10C0GF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 50V 10% RADIAL
ISL6744AUZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-MSOP
KTR18EZPJ272
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 2.7K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
L78L33ABZ-AP
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 IC REG LDO 3.3V .1A TO-92