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IRF6638TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.9 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6638TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.9 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：Digi-Reel®

IRF6638TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.9 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6638TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.9 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6638TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.9 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6638TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.9 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MX; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MX; 包裝：Digi-Reel®

IRF6635TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
GMC06DRAI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS R/A .100 SLD
INTRFCEV
配件 Microchip Technology BOARD EVAL PSRR/DIGITAL NOISE
ISL32457EIUZ-T7A
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC LINEAR
IRF6636
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
GMM31DTAH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD
ISC1210ER1R0K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1210
IRF6638TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 25A DIRECTFET
GMC06DREN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS .100 EYELET
GMM31DTAN-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS R/A .156 SLD
ISC1210ER1R8K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1210
IRF6641TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
GMC06DREN-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS .100 EXTEND
ISL32470EIBZ-T7A
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485 FAULT PROT 14SOIC
IRF6641TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET

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