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IRF6665詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6665TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6665TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6665TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6665TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：Digi-Reel®

IRF6665TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SH; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SH; 包裝：剪切帶 (CT)

GMC06DRTF
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD
ISL32478EIBZ-T
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485 FAULT PROT 8SOIC
IRF6648TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MN MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET
ISC1210ER470K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 47UH 10% 1210
GMM31DTKH-S288
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS .156 EXTEND
IRF6665TR1
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SH MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
FOX924B-19.440
振蕩器 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATR TCXO 19.44MHZ 3.3V SMD
GMC06DRTH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD
ISL32483EIBZ-T
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485 FAULT PROT 14SOIC
GMM31DTKI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 62POS DIP .156 SLD
IRF6674TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
FOXLF018S
晶體 Fox Electronics HC49/U CRYSTAL 1.8432 MHZ 13PF
ISC1210ER5R6K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 5.6UH 10% 1210
ISL32483EIBZ-T7A
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485 FAULT PROT 14SOIC
GMC06DRXH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 12POS DIP .100 SLD