IRF6691詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6580pF @ 10V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6691詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6580pF @ 10V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6691TR1詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6580pF @ 10V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF6691TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6580pF @ 10V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF6691TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6580pF @ 10V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：Digi-Reel®
IRF6691TR1PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：32A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：71nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6580pF @ 10V
- 功率_最大：2.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MT
- 供應商設備封裝：DIRECTFET? MT
- 包裝：帶卷 (TR)
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics TO-220-3 整包 IC REG LDO -15V 1.5A TO-220FP
- IGBT - 單路 IXYS TO-264-3，TO-264AA IGBT 75A 600V TO-264AA
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 50V 10% RADIAL
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 5.1M OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP 10MHZ LN 8SOIC
- PMIC - 熱管理 Texas Instruments SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 IC TEMP SENSR DGTL 2.7V TSOT23-6
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 100V X7R RADIAL
- IGBT - 單路 IXYS TO-264-3，TO-264AA IGBT 600V 75A FRD TO-264
- PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC REG BUCK ADJ 2A 8HSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 5.6K OHM 1/4W 5% 1206 SMD
- 光學 - 光電探測器 - 環(huán)境光傳感器 Intersil 6-WDFN 裸露焊盤 DIGITAL LIGHT SENSOR ADC 6ODFN
- IGBT - 單路 IXYS TO-264-3，TO-264AA IGBT 600V 75A GENX3 TO-264
- 評估演示板和套件 Texas Instruments BOARD EVAL FOR LMX25312820
- PMIC - 熱管理 Texas Instruments SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 IC TEMP SENSOR DGTL 2.7V 6TSOT
0755-83244680 
0755-23919407 
