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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF720 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IRF720詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：400V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.8 歐姆 @ 2A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：410pF @ 25V
功率_最大：50W
安裝類(lèi)型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

IRF7201詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：管件

IRF7201PBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：管件

IRF7201TR詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)

IRF7201TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：剪切帶 (CT)

IRF7201TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 7.3A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：550pF @ 25V
功率_最大：2.5W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO
包裝：帶卷 (TR)

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