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IRF7309PBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A，3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V
- 功率_最大：1.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF7309QTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A，3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V
- 功率_最大：1.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7309QTRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A，3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V
- 功率_最大：1.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF7309TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A，3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V
- 功率_最大：1.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF7309TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A，3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V
- 功率_最大：1.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7309TRPBF詳細規(guī)格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4A，3A
- 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 2.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 15V
- 功率_最大：1.4W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 4.1V SOT23-3
- AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc 徑向，Can - 卡入式 PWR SPLY MEDICAL 15V 1A 15W
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N+P 30V 3A 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS BOX MNT PIN
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 23POS CABLE W/PIN
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2V SOT23-3
- 脈沖 Schurter Inc 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IX5 PULSE TRANSFORMER THT 1A
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 200V 5% RADIAL
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS BOX MNT PIN
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 23POS W/SKT CABLE
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
- PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關 IXYS 18-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 4.1V SOT23-3
0755-22655674 
