IRF7324 全國供應商、價格、PDF資料

IRF7324詳細規(guī)格

類別：FET - 陣列

描述：MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：2 個 P 溝道（雙）

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫歐 @ 9A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2940pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7324D1詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：二極管（隔離式）

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7324D1PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：二極管（隔離式）

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7324D1TR詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：二極管（隔離式）

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7324D1TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：二極管（隔離式）

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF7324D1TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC

系列：FETKY™

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：二極管（隔離式）

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A

開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 1.2A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 15V

功率_最大：2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

• IRF7322D1TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

• ECJ-3YB1E474K

  陶瓷    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 1206

• LM4051AIM3-1.2

  PMIC - 電壓基準    Texas Instruments        IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23

• KPSE02E16-26PA206

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 26POS BOX MNT W/PINS

• IRF8313TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC

• KPT06E18-32PZ

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 32POS W/PIN CABLE

• K471K10C0GH53L2

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL

• ECJ-3YB1E475K

  陶瓷    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 25V 10% X5R 1206

• IXBOD1-06

  TVS - 其它復合    IXYS    徑向    IC SGL DIODE BOD 0.9A 600V FP

• KPSE02E16-26S

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS

• K471K10X7RH53H5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL

• IRF8327STRPBF

  其它    International Rectifier        MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

• KPT06E18-32SW

  連接器，互連器件    ITT Cannon        CONN PLUG 32POS CABLE W/SKT

• LM4051BEM3-ADJ/NOPB

  PMIC - 電壓基準    Texas Instruments    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3

• IXBOD1-14R

  TVS - 其它復合    IXYS    徑向    IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1400V